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型号 SI4340DY-T1-E3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET 2N-CH 20V 7.3A/9.9A SO14
SI4340DY-T1-E3 PDF
代理商 SI4340DY-T1-E3
产品目录绘图 DY-T1-E3 Series 14-SOIC
标准包装 1
系列 TrenchFET®
FET 型 2 个 N 沟道（双）
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 7.3A，9.9A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 12 毫欧 @ 9.6A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 15nC @ 4.5V
功率 - 最大 1.14W，1.43W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装 14-SOICN
包装 标准包装
产品目录页面 1664 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 SI4340DY-T1-E3DKR
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